Výrobní kapacity čipů jsou čím dál výrazněji omezována ze strany pouzdřících kapacit. Zatímco dříve nebyl problém rozšiřovat objemy výroby pouzdřících továren v souladu s objemy výroby waferů, aktuálně je situace složitější. Čím dál tím vyšší procento vyrobených čipů vyžaduje tzv. pokročilé metody pouzdření, které se navíc technologicky ubírají různým směrem. TSMC sice pokročilé metody zajišťují vyšší příjmy, ale zároveň vyžadují i vyšší investice.

Mezi tyto metody patří mj. rodina CoWoS (využívaná mj. výkonnými akcelerátory s HBM pamětmi), SoIC (3D), InFO (2,5D technologie využívaná Applem a také AMD) nebo CoPoS (Chip on Panel on Substrate).

CoWoS

Podle analytiků se kapacity TSMC CoWoS z letošních 1,3 milionu zvýší v příštím roce na 2 miliony, tedy asi o 50 %. Dochází proto k expanzi v prakticky všech komplexech, které TSMC na Tchaj-wanu využívá, jmenovitě v komplexu Hsinchu, v komplexu Southern Taiwan (Taoyuan Longtan) i v komplexu Central Taiwan (Miaoli Zhunan).

CoPoS

TSMC plánuje pilotní výrobu na technologii CoPoS koncem roku 2028 nebo v roce 2029. Podstatou této technologie je nabídka alternativy k CoWoS, která využívá jako interposer (podložku) křemíkový wafer. To je u větších čipů čím dál nákladnější, navíc při kulaté podstatě waferů z hlediska využitelnosti plochy čím dál méně efektivní. S CoPoS by byl wafer nahrazen panelem, levnějším na výrobu a umožňujícím efektivnější navyšování výrobních kapacit. Technologie však alespoň při současné úrovni neumožňuje takovou hustotu spojů jako CoWoS.

Ukončení provozu některých 8″ továren

TSMC nebude stavět pouze nové továrny pro účely pouzdření na pokročilých procesech, ale v řadě případů pro tyto účely použije starší továrny. Již od loňského roku motivuje společnost partnery využívají 8″ (200mm) wafery k přechodu na novější technologie postavené na 12″ (300mm) řešení. Zároveň plánuje do konce příštího roku zrušit výrobu na 6″ (150mm) waferech.

• 15 cm už nestačí. TSMC ukončí výrobu na 6″ waferech ²⁰²⁵

Uvolněné továrny po procesech určených pro 200mm wafery (v praxi po 90nm, okrajově až 65nm, ale ten je z většiny převedený do továren pracujících s 300mm wafery) budou upraveny a využity pro pouzdření na pokročilých procesech.

Nové kapacity pokročilých pouzdřících technologií nevzniknou jen na Tchaj-wanu, ale také v USA, kde TSMC v současnosti plánuje 6 továren na výrobu waferů, 2 továrny vybavené pro pokročilé metody pouzdření a 1 zařízení pro vývoj a výzkum.