EUV litografie klade velký důraz na výkon světelného zdroje, který určuje jednak rychlost samotného výrobního procesu a jednak, pro který proces je ještě možné daný zdroj využít (čím menší, tím vyšší výkon). TSMC, která v současnosti vyrábí na 20 nanometrech a rozbíhá několik procesů na FinFET technologii, se pomalu připravuje na další krok, kterým je 10nm proces.

• 10nm výroba od TSMC do dvou let, rozšířená 20nm ještě letos [červen 2014]

Ještě v létě společnost přiznávala, že na přípravy pro 10nm výrobu nebylo sáhnuto (ještě neexistoval ani tým, který by se jí měl věnovat), ale nyní už je situaci jiná. TSMC objednala u ASML dodávku dvou strojů NXE: 3350B, které disponují 80W zdrojem světla (bude dostupný i 100W upgrade) a počítá s modernizací dvou stávajících NXE: 3300B o výkonnější zdroj světla.

Tím získá celkem čtyři stroje, které jsou třeba pro smysluplné zahájení sériové výroby na 10 nanometrech. Současné NXE: 3300B v aktuální 40W konfiguraci zvládají zpracovat přes 500 waferů denně, v příštím roce nabídne ASML 125W zdroj, díky kterému stoupne výkon na více než 1000 waferů denně a v roce 2016 plánuje představit 250W světelný zdroj, který by měl posunout teoretické hranice přes 1500 waferů na den.

Reálná čísla samozřejmě budou poněkud nižší, různí výrobci, kteří současný NXE: 3300B vybavený 40W zdrojem používají, reportují zhruba ~400-500 reálně vyrobených placek denně.

Nakonec zajímavý slajd, který naznačuje vzdálenější budoucnost. Zatímco pro 10nm výrobu jsou jednotlivé dílčí technologické prvky vyvinuté a dostupné (nezaměňovat se samotným procesem jako takovým), 7nm ještě bude vyžadovat nějaký čas, než bude pro TSMC nebo Intel smysluplné se na ni začít připravovat.