Autonomní i elektrická auta dobývají svět. Mladá generace by už nejraději jezdila jen v nich. Bohužel si ne každý dokáže představit, co takové autonomní řízení obnáší; jak je složité nebo jaké...
Samsung pracuje na svém prvním EUV procesu, 7nm. To ale není to nejzajímavější. S EUV to plánuje rozjet ve velkém a obratem nabídnout i 6nm a 5nm proces. Se 4nm generací opustí FinFET.
Několik faktorů přispělo k tomu, že v posledních (tý)dnech bitcoin nejen opět vyrostl nad 1300 dolarů, ale dokonce nyní prolomil dvoutisícovou hranici.
Každý člověk má různé problémové partie a mnoho z nich se snaží je nejen identifikovat, ale také se jich zbavit. Shapescale je chytrá váha, která v hubnoucím procesu značně pomůže.
Rychlost 20 biliónů fps, nebo též co několik desítek femtosekund, to jeden snímek videa. Taková je aktuálně nejrychlejší videokamera na světě v laboratořích Lund University.
Ve spojitosti s hardwarem se často mluví o recyklaci. Z procesorů lze získat zajímavé množství zlata, případně křemík, z plošných spojů měď a nouze nebývá ani o nikl a stříbro. Jenže co s plasty?
Loni v říjnu se objevilo několik neoficiálních zpráv o údajné změně v architektuře GCN, která se týká uspořádání výpočetních bloků. Ve dvou bodech: 1. Informace byla pravdivá. 2. Ale špatně podaná.
Na to, kolik hardwaru vzniklo na 28nm procesu, se zřejmě 14- a 16nm výroba příliš nevytáhne a bude poměrně rychle nahrazována novějšími verzemi. Jednou z nich bude 10 nanometrů. Komu se povede nejlíp?
O návratu Američanů na Měsíc, resp. pilotovaném letu na Mars je z USA slyšet už prakticky od 70. let. Bushova administrativa to měla v plánu, Obamova to ořezala, Trumpova nyní zase mění.
Nový americký prezident se vyslovil jasně, firmy mají (zase) začít vyrábět na území USA, nebo jim budou naházeny klacky pod nohy ve větším množství než malém. TSMC zvažuje.
Zatímco se pozvolna rodí možná nástupce flash v podobě 3DXPoint od Intel/Micron, jihokorejský obr se pokusí ukázat, že technologie NAND flash zdaleka neřekla poslední slovo a 3DXPoint nebude takové...
Nová generace spinových magnetoresistivních pamětí (ST-MRAM, resp. STT-MRAM) od Everspin opět zvyšuje kapacitu. A přitom slibuje fakticky neomezené množství zápisů.
